中国电科（天津）新材料产业基地一期项目

1.项目建设背景：该项目为了满足市场需求，增加企业市场竞争力，为公司发展奠定基础；
2.项目建设内容：该项目建设中国电科（天津）新材料产业基地一期项目，建设内容：年产直拉硅单晶研磨/抛光片及区熔硅单晶片750万片、砷化镓单晶抛光片及蓝宝石抛光片412万片、IC级硅单晶抛光片60万片、硅外延材料150万片等；
3.生产工艺路线：一般经过晶体生长、切断、外径滚磨、平边、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、包装等阶段；
4.项目建设地点：天津市津南八里台工业区。